A Intel acaba de divulgar uma nova tecnologia de processo de fabrico de chips em 90 nanometros (um nanometro corresponde a um bilionésimo do metro) que começará a ser utilizado na produção em volume a partir do próximo ano, empregando wafers de 300 milímetros. Associada a esta tecnologia está o recurso ao silício "esticado", em que os átomos na base do silício são distanciados entre si mais do que o normal.



Os chips fabricados com base no processo de 90 nanometros, os primeiros produtos da Intel da era nanotecnológica, irão também integrar novas técnicas se isolamento, componentes internos mais pequenos, material dieléctrico low-k e interconectores de alta velocidade. O Prescott, nome de código do processador que irá substituir o Pentium 4, vai ser o primeiro chip de 90 nanometros, estando previsto que comece a ser comercializado a partir do segundo semestre de 2003.



Segundo a fabricante, ao esticar o silício, a corrente flui de uma forma mais flexível, aumentando a velocidade dos transístores e dos electrões. Trabalhar a nível atómico tem vindo a tornar-se uma tarefa diária para os fabricantes de chips. Durante décadas, estas empresas diminuiram exponencialmente o tamanho dos transístores ao seguirem a Lei de Moore, que estima que o número de transístores num chip duplica em cada dois anos.



Mas, dado o sucesso da Lei de Moore, presentemente os engenheiros são obrigados a lidar com as leis da física. Neste caso, o canal de óxido nos chips fabricados com o processo de 90 nanometros que separa os sub-elementos de um transístor tem apenas cinco átomos de largura. Tecnicamentes, estes chips podem ser classificados como partes nanotecnológicas, uma vez que os seus componentes têm uma largura inferior a 100 nanometros.



Dado que os chips rápidos exigem normalmente maiores quantidades de energia e que, contudo, mais electricidade pode prejudicar o seu desempenho, a Intel teve que reconstruir os materiais isoladores, substituindo um material de silício por um de carbono entre as diferentes camadas dos chips de 90 nanometros. Estes chips também irão integrar sete camadas de transístores, ao contrário das seis camadas existentes nos modelos actuais. Desta forma, os processadores baseados neste processo de fabrico serão mais rápidos do que os actuais, embora contendo um número muito maior de transístores.



Os primeiros produtos fabricados mediante o processo de 90 nanometros irão ser inicialmente produzidos nas fábricas da Intel no estado norte-americano de Oregon e mais tarde nas instalações da empresa no estado do Novo México e na Irlanda, que são vocaccionadas para a produção em massa. Apesar de serem mais avançados do que os actuais chips fabricados com base nas técnicas de produção de 130 nanometros, os chips baseados no processo de 90 nanometros irão permitir que a companhia reutilize cerca de 75 por cento do seu actual equipamento.



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