A Toshiba e a Sandisk anunciaram ontem o
desenvolvimento de uma estrutura de célula de memória flash do tipo NAND de alta densidade que irá permitir o fabrico de chips com capacidade para armazenar dois e quatro GB. Estes serão lançados já no próximo ano e empregam um processo de fabrico de semicondutores de 90 nanómetros.

Esta inovação resulta de uma redução do tamanho da célula, a região que
armazena os dados, nos chips de memória flash. A nova célula de memória possui assim uma área física de apenas 0,041 mícrons. As estruturas actuais de memória flash NAND são difíceis de produzir empregando processos mais avançados do que os baseados em 110 nanómetros. Na produção de chips, o número associado com uma tecnologia de processo de fabrico refere-se ao tamanho do componente mais pequeno que pode ser criado num chip.

A nova tecnologia, que permite que cada célula de memória transporte dois bits de informação em vez de um só e minimiza a interferência eléctrica, irá eliminar esta restrição. Este tipo de memória é utilizado no interior de dispositivos de electrónica de consumo e telemóveis para guardar dados e aplicações.

A joint-venture entre a Toshiba e a Sandisk, denominada Flash Vision, irá começar com a produção de chips de dois e quatro GB durante o primeiro semestre de 2004, anunciaram as empresas durante o Simpósio Very Large Scale Integration, que se realizou entre terça e quinta-feira em Quioto, no Japão. A produção destes chips terá lugar nas instalações da Toshiba em Yokkaichi.

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