(Actualizada) A Intel anunciou que vai dar início à produção em massa de transístores feitos a partir de estruturas tridimensionais, tecnologia que a número um dos processadores denominou de Tri-Gate.

A geração de microprocessadores de 22 nanómetros resultantes da nova estrutura 3D terá o nome de Ivy Bridge e deverá chegar ao mercado no início de 2012, substituindo a segunda geração de chips Core da Intel (Sandy Bridge), "materializada" nos primeiros computadores durante a CES de Março último.

Os novos transístores para chips de 22 nanómetros prometem mais poupança energética e maiores performances. Segundo a Intel, os futuros chips terão 37% mais desempenho do que a geração anterior, a par de uma redução de 50% no consumo de energia.

Os novos chips servirão uma grande variedade de dispositivos, desde servidores a tablets e smartphones. "Os ganhos de performance e poupança de energia dos transístores 3D Tri-Gate da Intel são algo nunca antes visto", salientou David Perlmutter, vice-presidente executivo da Intel, durante a apresentação.

A empresa defende que a transição para os transístores tridimensionais Tri-Gate sustenta o ritmo da tecnologia avançada, e permite que a Lei de Moore continue durante anos.

"Os cientistas e engenheiros da Intel reinventaram mais uma vez o transístor, desta vez utilizando a terceira dimensão,", afirmou o presidente e CEO da Intel, Paul Otellin, à medida que elevamos a Lei de Moore a novos patamares".

Veja o vídeo da demonstração da Intel sobre a capacidade dos novos processadores.