A Intel acaba de comunicar ter conseguido produzir transístores de 45 nanómetros combinando dois novos materiais, numa descoberta que a empresa garante representar a maior mudança dos últimos 40 anos na indústria. Os novos transístores vão integrar a próxima geração de processadores de 45 nanómetros da Intel, que recebeu o nome de código Penryn.

Em comunicado a empresa garante ser a primeira a implementar a combinação de metais que reduz as perdas de energia nos transistores e aumenta o seu desempenho no processo de produção de 45 nanómetros. O novo material tem uma propriedade designada high-k e é usada nas portas dielectricas do transistor, enquanto a combinação de materiais metálicos é usada noutra das portas do transístor.

Gordon Moore, co-fundador da Intel, afirma que a implementação do high-k e dos materiais metálicos é a maior mudança na tecnologia de transistores desde a introdução dos transistores MOS em finais dos anos 60.

A Intel tinha mostrado ainda na semana passada o primeiro chip SRAM (Static Random Access Memory) usando a tecnologia de 45 nanómetros, que irá ser a base do processo de produção de semicondutores da próxima geração.

Os novos transístores de 45 nanómatros, mais eficientes em termos de poupança de energia, vão integrar os próximos processadores Core 2 Duo, os Intel Core 2 Quad e as famílias Xeon de processadores multi core, que têm o nome de código Penryn. As primeiras versões serão dirigidas a segmentos de mercado diferenciados, correndo sistemas operativos Windows Vista e Windows XP, Mas OS X e Linux, devendo chegar ao mercado no segundo semestre deste ano.

Com este desenvolvimento ao nível dos transistores a Intel acredita ter conseguido avançar em mais de um ano em relação aos concorrentes da indústria de semicondutores.

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