Pela primeira vez desde sempre, investigadores dos laboratórios de pesquisa dos Bell Labs - da norte-americana Lucent - conseguiram visualizar um átomo individual de impurezas em silício no seu estado natural no interior de um cristal.



Este feito foi alcançado mediante a utilização de um microscópio especial de electrões e foi comparado pelos cientistas como sendo tão difícil como ver uma pegada na Lua a partir da Terra. A descoberta foi divulgada num artigo publicado ontem, dia 25, na revista científica Nature.



Desta forma, a comunidade científica poderá compreender melhor o modo como as impurezas influenciam as propriedades dos semicondutores, uma condição essencial para diminuir as dimensões dos futuros equipamentos electrónicos de alta velocidade e de forma a que a Lei de Moore se mantenha válida.



Gordon Moore, co-fundador da Intel previu em 1965 que o número de transístores contidos num semicondutor iria duplicar em cada 18 meses, verificando-se simultaneamente um redução em 50 por cento na área ocupada.



Designadas por "dopantes" pela indústria electrónica, as impurezas são introduzidas nos semicondutores como o silício de forma a disponibilizar carga para os condutores que controlam as propriedades eléctricas dos semicondutores. Dentro de poucos anos, será então possível determinar a função de um determinado dispositivo com poucos átomos de impurezas.



Empregando um microscópio de digitalização e transmissão de electrões, uma equipa liderada por David Muller, um físico dos Bell Labs, visualizaram os átomos dopantes no interior de cristais de silício, tal como existem nos dispositivos actuais. As técnicas empregues anteriormente não tinham sido capazes de observar no interior dos cristais.



O método dos Bell Labs é bastante maleável e pode ser aplicado a qualquer tipo de material, tendo sido já empregue na caracterização e resolução de problemas em componentes optoelectrónicos.


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