A Intel anunciou ter produzido aquele que acredita ser o primeiro chip SRAM (Static Random Access Memory) funcional recorrendo a tecnologia de fabrico de 45 nanómetros, o seu futuro processo de fabrico de volume de processadores.



A empresa afirma, num comunicado à imprensa, que estará a produzir em larga escala através daquela tecnologia em 2007, usando wafers de 300 mm. O objectivo de testar a Lei de Moore até ao limite e apresentar uma nova geração de tecnologia de fabrico a cada dois anos mantém-se, refere igualmente.



"A Intel tem uma longa história na transformação de 'saltos' tecnológicos em benefícios tangíveis que os utilizadores apreciam. A nossa tecnologia de 45nm sustentará a oferta de PCs com um melhor desempenho por watt o que contribuirá para a melhoria da experiência de utilização", diz Bill Holt, vice-presidente e director geral do Intel Technology and Manufacturing Group.



Segundo a fabricante, a tecnologia de 45 nanómetros produz processadores com uma poupança de energia cinco vezes superior aos de 65 nanómetros, existentes actualmente. "Tal contribuirá para melhorar a autonomia das baterias dos dispositivos móveis, ao mesmo tempo que aumentará as oportunidades de construção de plataformas mais pequenas e poderosas", defende a Intel.



Face às intenções agora reveladas, a Intel está a construir mais duas unidades fabris, uma no Arizona, EUA, e outra em Israel, dedicadas exclusivamente à produção com a tecnologia de 45 nanómetros, que se juntam a uma outra, já existente e onde decorreram os esforços iniciais de desenvolvimento da tecnologia, no Oregon, EUA.


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