A Intel encontra-se
actualmente na fase de desenvolvimento do transístor Tri-Gate, considerado uma das ferramentas essenciais para assegurar que a fabricante de semicondutores continue a seguir a Lei de Moore na segunda metade desta década, ao permitir o transporte mais livre da electricidade no interior dos semicondutores. Segundo a C|NET, este componente passará a ser incorporado nos
chips da Intel a partir de 2007.

Em conjunto com outros documentos relativos a progressos na incorporação de rádios nos chips, a companhia apresentou ontem um artigo sobre o transístor no Simpósio Very Large Scale Integration, que se realiza de 10 a 12 de Junho em Quioto, no Japão. Ao aumentar a área de superfície do "portão" que controla o fluxo da electricidade, o transístor reduz um dos principais problemas para a
continuidade da Lei de Moore, que prevê que o número de transístores num chip duplique em cada dois anos.

Este fenómeno é alcançado frequentemente mediante a diminuição do tamanho dos transístores - pequenos circuitos on-off que efectuam em conjunto cálculos matemáticos. Contudo, os transístores de dimensões mais pequenas permitem fugas de electricidade, uma situação que gera uma diminuição do tempo de vida da bateria e a um aquecimento interno em excesso. Nos "portões" tradicionais lisos a electricidade fluí como uma corrente directamente por baixo deles.

Em contrapartida, os Tri-Gates possuem a forma de um túnel e a electricidade fluí na superfície interna do arco. Uma maior área de superfície gera um fluxo mais estável da electricidade, o que, por sua vez, pode conduzir a um maior desempenho ou/e menor fuga de electricidade. A Intel integrou os transístores Tri-Gate com "portões" de 30 nanómetros de comprimento nos seus laboratórios.

A companhia está actualmente à procura de um novo tipo de transístor para chips equipados com componentes medindo em média 45 nanómetros. Estes semicondutores serão introduzidos comercialmente em 2007. Nessa altura, contudo, o "portão" do transístor terá um comprimento de apenas 20 nanómetros. Para além disso, a Intel está também a analisar como alternativa a melhoria dos actuais transístores planares. Ambas as opções são parte da família de transístores Terahertz, nome de um grupo de transístores futuros que irão incorporar características específicas comuns.

Noutros documentos apresentados no âmbito do VLSI, a fabricante de semicondutores demonstrou como desenvolveu um sintetizador de frequência ágil de 10 GHz baseado em silício que ajudam a configurar um rádio e fazê-lo parar numa determinada frequência. A esta velocidade, o sintetizador experimental poderá um dia facilitar aos computadores portáteis ligados a redes Wi-Fi a descoberta de uma ligação nítida e que não esteja cheia de outros utilizadores. Potencialmente, estes sintetizadores ultra-rápidos poderão também permitir que PCs portáteis mudem facilmente de protocolos e frequências diferentes.

Para além disso, a companhia divulgou um documento relativo a um oscilador controlado por voltagem e equipado com um transformador, componentes que se destina a ser inserido no interior do sintetizador. Estas peças são feitas de chips de silício, o que ajuda a diminuir os custos. Tradicionalmente, os componentes rádio têm sido compostos de chips analógicos, que empregam frequentemente circuitos especializados e dispendiosos.

Notícias Relacionadas:
2002-05-28 - Intel Developer Forum de Munique debate aplicação de Lei de Moore às comunicações
2001-11-26 - Intel anuncia transístor TeraHertz que promete revolucionar chips
2001-10-08 - Intel anuncia avanço tecnológico visando atingir os 20 GHz em 2006
2001-06-11 - Intel mostra transístores mais rápidos

Não perca as principais novidades do mundo da tecnologia!

Subscreva a newsletter do SAPO Tek.

As novidades de todos os gadgets, jogos e aplicações!

Ative as notificações do SAPO Tek.

Newton, se pudesse, seguiria.

Siga o SAPO Tek nas redes sociais. Use a #SAPOtek nas suas publicações.