A AMD revelou ter fabricado os mais pequenos transístores double-gate até à data usando a tecnologia standard existente no mercado. Medindo 10 nanometros, estes transístores são dez vezes mais pequenos do que os mais reduzidos actualmente em produção, garante a AMD em comunicado. Assim, num chip que agora comporta 100 milhões de transístores, poderão vir a ser colocados mil milhões destes novos double-gate.



Uma estrutura double-gate duplica efectivamente a corrente eléctrica que passa através de um dado transístor, explica a fabricante. A concepção do Fin Field Effect Transistor (FinFET) baseia-se numa "fin" vertical de silício para ajudar a controlar a perda de corrente através do transístor quando o mesmo está no modo desligado.



A AMD afirma que a demonstração do Complementary Metal Oxide Semiconductor Fin Field Effect Transistor (CMOS FinFET) é o resultado de uma colaboração entre a própria e a Universidade da Califórnia com o apoio da Semiconductor Research Corporation. Os dispositivos foram criados no Submicron Development Center da AMD.



O relatório sobre o desenvolvimento, intitulado "FinFET Scaling to 10 nm Gate Length" será apresentado no International Electron Devices Meeting (IEDM) que decorrerá em São Francisco, nos Estados Unidos, entre 9 e 11 de Dezembro.



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