IBM e TDK anunciam colaboração para o desenvolvimento de memória STT-RAM

A IBM anunciou que vai seguir os passos da Grandis e irá trabalhar em conjunto com a TDK no desenvolvimento de um novo tipo de memória magnética, a STT-RAM. O objectivo é ter o primeiro protótipo de 65 nanómetros pronto dentro de quatro anos.

A IBM e a TDK vão trabalhar juntas no desenvolvimento de um novo tipo de memória magnética, a STT-RAM - Spin Transfer Torque RAM. A IBM deixará de parte as investigações no campo da memória MRAM, que se mostrou pouco viável como memória magnética comercial, para se voltar para o novo formato.



De acordo com as informações publicadas pela Cnet, os primeiros protótipos da STT-RAM de 65 nanómetros deverão estar prontos em menos de quatro anos.



A STT-RAM combina as capacidades e benefícios de custo da DRAM, com o rápido desempenho da SRAM e a não volatilidade da memória flash. Consiste numa corrente eléctrica aplicada num íman que induz a mudança de direcção do campo magnético, de cima para baixo ou da esquerda para a direita, o que provoca uma mudança nos campos de resistência.



A IBM e a TDK não são as únicas empresas a trabalhar neste formato de memória. A Grandis já está nesta área há mais tempo e espera ter pronto o primeiro modelo de memória STT-RAM no final de 2008.




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