Uma equipa de investigação portuguesa anunciou, recentemente, a produção do primeiro transístor de efeito de campo (FET) de base celulóide, em substituição das mais comuns bases de vidro ou silicone cristalino. Segundo os dados preliminares publicados pela equipa do Centro de Investigação de Materiais da Faculdade Nova de Lisboa (Cenimat/I3N), coordenada por Elvira Fortunato e Rodrigo Martins, este novo tipo de transístor apresenta uma eficácia eléctrica comparável aos transístores de película fina (TFT) mais avançados.



A celulose, dada a sua disponibilidade na natureza e o seu baixo custo de exploração, é, apesar dos desafios técnicos que coloca, uma matéria de extremo interesse para a produção de equipamentos e dispositivos electrónicos de baixo custo.



A equipa portuguesa utilizou uma folha vulgar de papel como camada semicondutora activa em transístores de efeito de campo de óxido de Zinco. Os contactos metálicos e demais componentes foram aplicados nos dois lados do papel, permitindo que este tome uma função dupla de base e isolante.



A descoberta abre a porta à produção em larga escala de componentes electrónicos integrados de baixo custo de aplicação diversa, incluindo papel electrónico, etiquetas inteligentes, marcadores RFID, entre outros.



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